在业内看来，LED技术倒装工艺也好，COB工艺也好，在使用的企业之前并不冲突。技术只有在相互代签才能升级进步。对用户而言，看到的是一块led显示屏，而单独从外观上，无法分辨出是金线，还是铜线，也难分出使用的是什么生产工艺。但短时间能否分辨不影响技术的进步，及各普通技术人员对科技问题的探索。 MEI709使用金锡plat form焊锡贴PD chip 到submount上，镀金层上焊锡流动不良
从现在的试验来看，似乎和芯片背面、submont表面的粗糙度有关 哪位对共晶焊接熟悉的高人指点一下

1）如何定量地确认合适表面粗糙度达到最好的焊接质量 2）submont镀金层下会有镍层，它会有影响吗？ 是在做通孔垂直结构LED的焊接吗...？看你的结构和叙述主要针对SnAu共晶...这样共晶焊料的熔点就有了...当然你的炉温一定比共晶焊料的熔点高...因为Au下面还有Ni... 利用共晶焊接技术，先将晶粒焊接于一散热基板（soubmount）或热沉（heat sink）上，然后把整件晶粒连散热基板再焊接于封装器件上，这样就可增强器件散热能力，令发光功率相对地增加。至于基板材料方面，硅（Silicon）、铜（Copper）及陶瓷（Ceramic）等都是一般常用的散热基板物料。 共晶焊接技术最关键是共晶材料的选择及焊接温度的控制。新一代的InGaN高亮度LED，如采用共晶焊接，晶粒底部可以采用纯锡（Sn）或金锡（Au-Sn）合金作接触面镀层，晶粒可焊接于镀有金或银的基板上。当基板被加热至适合的共晶温度时，金或银元素渗透到金锡合金层，合金层成份的改变提高溶点，令共晶层固化并将LED紧固的焊于热沉或基板上。 选择共晶温度视乎晶粒、基板及器件材料耐热程度及往后SMT回焊制程时的温度要求。考虑共晶固晶机台时，除高位置精度外，另一重要条件就是有灵活而且稳定的温度控制，加有氮气或混合气体装置，有助于在共晶过程中作防氧化保护。当然和银浆固晶一样，要达至高精度的固晶，有赖于严谨的机械设计及高精度的马达运动，才能令焊头运动和焊力控制恰到好处之余，亦无损高产能及高良品率的要求。 进行共晶焊接工艺时亦可加入助焊剂，这技术最大的特点是无须额外附加焊力，故此不会因固晶焊力过大而令过多的共晶合金溢出，减低LED产生短路的机会。